Почему горит транзистор в VP 44

Корпус DirectFet
Технология корпусирования DirectFET компании IR стала первой, которая обеспечила прорыв на пути достижения рекордно высоких показателей эффективности корпуса. Внешний вид и поперечный разрез прибора DirectFET представлены на рисунке 7.



Рис. 7. Корпус типа DirectFET обеспечивает минимальные сопротивление выводов и паразитную индуктивность
Кристалл имеет двустороннее расположение выводов. На его нижней стороне расположены металлизированные контакты: два контакта истока и один — затвора. Контакт стока на второй поверхности кристалла соединен с медным корпусом-кожухом. Кристалл крепится к корпусу с помощью специального компаунда. Электрический контакт с печатной платой обеспечивается пайкой двух контактов истока,(выделено cbvjy) контакта затвора и двух контактов корпуса (отбортовки на корпусе). В транзисторах DirectFET электрический ток протекает по кратчайшему расстоянию — через кристалл и крышку корпуса. У транзисторов в корпусе SO-8, D-Pak и в разновидностях корпусов на их основе ток, кроме того, протекает через проволоки разварки кристалла и выводы корпуса. Электрическое сопротивление корпуса DirectFET около 0,1 мОм. Это значение в 14 раз ниже, чем аналогичный параметр у классического корпуса SO-8. Оно гораздо ниже электрического сопротивления кристалла при открытом канале.

Разработанный компанией International Rectifier корпус нового поколения для поверхностного монтажа обеспечивает эффективный отвод тепла от кристалла мощного MOSFET за счет двухстороннего охлаждения кристалла. У транзисторов в корпусах DirecFET термосопротивление «кристалл — печатная плата» составляет всего 1°С/Вт, а термосопротивление «кристалл — поверхность корпуса» — 3°С/Вт. Благодаря низкому термосопротивлению корпуса DirectFET способны рассеивать гораздо более высокую мощность, чем корпуса для поверхностного монтажа других типов. Это позволило, по крайней мере, удвоить номинальный ток транзистора, сохранив размеры как кристалла, так и корпуса. Отсутствие проволок разварки и рамочных выводов с прямым монтажом кристалла на печатную плату предельно снизило сопротивление контактов и паразитные индуктивности выводов. Простота топологии монтажа печатной платы также способствует уменьшению паразитных индуктивностей.

Классификация корпусов DirectFET
Для оптимизации и согласования с током и сопротивлением канала транзистора разработаны три группы стандартных типов корпусов DirectFET, отличающихся размером крышки (Can): Small (малые), Medium (средние) и Large (большие). В каждой из групп существуют различные модификации в зависимости от размера кристалла, расположения и числа контактных площадок. На рисунке 8 представлено сравнение размеров корпусов SO-8, DirectFET типоразмера М (средний типоразмер) и D-Pak.



Рис. 8. Соотношение размеров корпусов для поверхностного монтажа
Все типы корпусов DirectFET имеют одинаковую и минимальную среди корпусов для поверхностного монтажа высоту 0,7 мм. Номенклатура выпускающихся транзисторов в корпусах DirectFET компании IR перекрывает диапазон напряжений 20...250 В.

В таблице 3 приведены параметры N-канальных HEXFET-транзисторов International Rectifier в корпусах DirectFET.

Таблица 3. N-канальные HEXFET-транзисторы в корпусах DirectFET


Применение транзисторов в корпусах DirectFET дает возможность заменить до трех параллельно включенных транзисторов в корпусе SO-8 или до двух транзисторов в корпусе D-Pak, вдвое поднять объемную плотность энергии, резко снизить температуру в преобразователе. Ультранизкое сопротивление открытого канала и низкий заряд затвора обеспечивают КПД преобразования выше 90% в одно- и многофазных DC/DC-преобразователях, применяемых в компьютерной технике.

 

Все б ничего, но.... найти б это в продаже и кроме того, без проводничков нам не обойтись, плата не заточена под такое.

 

я не агитирую за "советскую власть"...

у нас это купить /заказать можно
ценники 100-450 руб./шт в зависимости от параметров

параметры очень "сладкие", особенно осциллограммы по реакции на ШИМ, с индуктивной нагрузкой

в интернете нет секретов ... вбей в адресную строку "DirectFET"

самое интересное в том , ИМХО, что конструктив платы ЭБУ "заточен" под
применение DirectFET, очень похоже , что силовой как раз DirectFET и установлен "вверх ногами"

 

Непохоже. Вверх ногами - это уже не DirectFET (здесь вся соль в теплоотводе). Натыкался на статейку, где все подобные новшества обсасывались. Не спроста же это - технология, здесь все под нее надо переделывать. А у нас на керамике просто одна большая площадка металлизированная. Сможешь нарезать из нее нужный рисунок, тогда можно будет.

 

А если повесить на линию питания что-то вроде такого:

? для ограничения тока.
Или бредовая идея?

 

Как же тогда получишь ток срыва под 20А. Так то, в цепи удерживающего стоит уже сопротивление.

 

Я читал про 13-15а. Ну взять не 1, а 0,7, 0,5, 0,3ом... Возможно есть вариант при котором найдется баланс где и на срыв хватит и перегрева не будет.

 

нет ... все не так
DirectFET это/грубо говоря/ пластинка тощиной до 0.7 мм
- на одной стороне - контакные площадки /исток, затвор
- другая сторона медная подкладка

технология "стандартного" монтажа предусматривает касание/потом пропай Т-рой/ площадками залуженных проводников на плате а теплоотвод вешают "сверху" ... им же и прижимают транзистор для фиксации

в эбу ТНВД транзистор "перевернут" от площадок идут на плату алюминиевые проводнички

 

Подозреваю это проволочный, увеличиваем индуктивность - увеличиваем выбросы индуктивные. Не есть хорошо.
Тогда уж предохранитель.

 

там реально ток срыва от 20 А
вообще , если все в ТНВД "пучком", то ничего не сгорит и работать будет...

 

Ну вот вроде у мен ничего не предвещало... Думаю бредово спрашивать схему цепи питания +5в(стабилизатора)?! Просто рядом с ним я не обнаружил ни одной "достаточно" крупной емкости для обеспечения фильтрации.

 

вот внешний вид

вот "стандартный" монтаж

"легкий" ликбез

С появлением нового семейства DirectFET@plus MOSFET от International Rectifier устанавливаются новые стандарты эффективности современных источников питания, в частности, синхронных понижающих DC-DC преобразователей с входным номинальным напряжением 12В.
По сравнению с транзисторами в корпусе DirectFET предыдущих поколений, у первых двух представителей нового семейства - IRF6811S и IRF6894M, уменьшено сопротивление открытого канала и заряд затвора, что существенно повышает КПД преобразователя. В дополнение к этому, транзисторы демонстрируют ультранизкое сопротивление затвора, тем самым увеличивая свою эффективность работы за счет минимизации динамических потерь.
«Управляющий» MOSFET IRF6811S доступен в малом корпусе (Small Can), в то время как «синхронный» MOSFET IRF6894M (со встроенным диодом Шоттки) предлагается в корпусе среднего размера (Medium Can). Транзисторы рассчитаны на напряжение 25В.

 

вот это -то и обидно
ищем причину

 

Сравни сопротивление твоего клапана подачи, и другого, исправного.

 

Да, все емкости непосредственно рядом с чипами, считаю это правильно.

Картинки не видать.

Да ладно. А как же стандартно DPAK распаивают и им подобные, а SO8? Здесь идея - отвод идет непосредственно с вывода кристала, без доп. прокладок, вот и все. Если возьмешь, перевернешь, как то там корпус присобачишь на нашу штатную подложку и проводниками разведешь - ничего, кроме геморроя не получишь. Главный отвод тепла - с выводов идет, с корпуса хуже(лишнее будет) и используется как дополнительный. Посмотри картинки с распределением и отводом тепла.
Не, если уж делать, то снимать метал.подложку штатного транзистора, разбивать имеющуюся площадку на нужный рисунок и соблюдая технологию вклеивать (там ведь некий компаунд используют. То ж вещь та еще, в себе.).

 

Я отпаял клапана, мозг не вышел на связь.

 

Я не про мозг, а про главную причину, сгоревший мозг - следствие !

 

Валер, а причем тут клапан, у него ошибка по связи, по дозатору ошибки нет.

 

На стабилизатор приходить +12? +5 есть на датчике положения вала? Если приходит и есть, то дело не в бабине, проводку/разъем надо перепроверять. В мозгах все проводнички просмотрел?

 

Да, всё приходит.
Когда подключаю мозг от 106А, то с ним связь есть, т.е. в разъеме и проводах все в порядке.
Мне уже идет другой мозг, вот когда придет, тогда переставлю и буду со своим детально разбираться.

Микросхемы связаны с дозатором только через изолированный затвор транзистора. Затвор не пробит, значит клапан не причем.