Мужики гляньте мои результаты диагностики.по датчику вращения все понятно,а вот по игле не очень.Еще такой момент ,у этого датчика вращения я так понимаю 2 контура?он снимает 2 показания?
Решил закончить начатую тему. ТНВД собрал поменяв подшипник и все прокладки из ремкомплекта БОШ. Поменял транзистор на IRLZ44N. К выбору транзистора подошел основательно, долго лазил по каталогам IRF. Выбрал транзистор с наименьшей входной емкостью, наименьшим напряжение открывания, с небольшим сопротивлением сток-исток, ну и чтоб ток держал. Корпус транзистора ТО-220 пришлось использовать слюдяную прокладку и под винт подложить втулку. Транзистор что я выбрал год назад IRFI3205 после моего детального анализа оказался не самым удачным вариантом. Также отремонтировал проводники идущие на клапан, использовал фторопластовые трубки. ТНВД удалось снять и поставить не снимая ремня. Завелась практически сразу. Ошибок пока нет. Причину поломки вижу в неправильно подобранном транзисторе.
+ Скажи, что при выборе транзистора было для тебя главным? Похоже время открытия/закрытия. Так длинными проводами ты на нет это сводишь. Если отпилить железку для крепежного винта, причем даже не всю, миллиметра 3 можно оставить. И обточить слегка по ширине и высоте (пластика там очень много), то можно былобы воткнуть на положенное место. При этом подложку под штатный трансистор надо снять, места будет .... И если обтачивать и примерять, то там фактически и прижима не надо, помазал пастой теплопроводной и вставил до упора, сверху его пластмасса корпуса мозгов держать будет. Я правда впаивал (т.е. вместо пасты припой), перестраховался. (Попробую фотки кинуть, что-то постоянно никто их не видит). Транзистор у меня IRL2505 (по току покруче твоего) в корпусе D2PAK, это фактически твой корпус только без железяки под винт. Вообще жалко, из старых тем много чего поисчезло после реконструкции форума. Сейчас уж и не восстановим наверное.
В datasheet на ....N нет другого корпуса. На ....NS, да, есть такое. Но, видимо, ТС изначально планировал делать внешним, возможно не знал, что места там хватает. Вот поэтому и жалко, что многое из старого потерялось. Ведь, уже и фотки давали и обсуждали как именно можно посадить. Но, все равно, ТС молодец . Зделал сам, не поленился. Кстати, знаю как минимум три авто, которые на выносном катаются уже больше 3 лет. А заменить его вообще не проблема.
ИМХО главным при выборе транзистора нужно признать напряжение на входе ПТ, при котором последний гарантированно открывается ... VGS Gate-to-Source Voltage ±16 V по всем остальным параметрам проходят 99,99% из широко доступных MOSFETов известно что MOSFET гарантированно открывается при напряжении на затворе, вдвое превышающем напряжение на стоке для автосети это не менее 24-30 В и внимательно посмотри рис 10а/10б на официальном даташите
Я, что-то не силен в этом всем. Да видел, что Gate-to-Source Voltage ±16 V, но думал это предельные хар-ки. А вот на рис 10а в тестовой схеме открывают 5_ю вольтами. Объяснил бы нам не сведующим, что к чему раз знаешь предмет. Чтоб отпали вопросы. А то и в прошлый раз так и не договорили.
Невнимательно смотришь на рис 10 а там четко показано , что для реализации управления прямоугольным сигналом уровня ТТL/ 5 В нужно дополнительно "дожимать" MOSFET напряжением VGS На рис. 10 б четко показано, что MOSFET откроется полностью только при приложении не менее 100 % VGS если эти условия, заложенные технологически , не выполняются - то MOSFET работает не в ключевом - откр/закр, а в линейном режиме и на кристалле выделяется тепло, вследствие чего MOSFET перегревается и выходит из строя ИМХО разработчики БОШ при формировании контроллера и "выращивании" MOSFET "заложили" VGS на уровне 6/7 В конечно, из партии MOSFET с одинаковым наименованием имеем распределение Гаусса по VGS /т.е. 15 % имеют VGS равный гарантированному, остальные - меньше/ поэтому кому-то "везет" , а кому-то нет отсюда "нестабильные": -отзывы по перепайке транзистора/MOSFET -постоянные поиски "правильного" MOSFET -результаты с каким -то одним типом MOSFET
вот ярчайший пример типичной нае...б...ки со стороны польских "товарищей" типа, только "мы" знаем , какой транзистор ставить типа, эксклюзивно для нас делает "БОШ" , мы им "доверяем" маркировка нам не нужна...
Наверное мы разные datasheet смотрим. У меня 10а это Switching Time Test Circuit. На ней показана клемма Vgs, где именно измеряется это напряжение (я это так понимаю, дожима я там никакого не вижу). На рис.10б показана временная диаграмма. Указано, как берется время задержки срабатывания перехода относительно сигнала Vgs. И откуда берется время переключения. Кстати видно, что начинается переключение, когда Vgs еще не достигло 5В (около 3В). В таблице (выше) эти времена приводятся как раз для Vgs=5B, там какие-то ns (ну не бывает в реальной жизни мгновенного ничего, это понятно). По сравнению с длиной наших импульсов (>1мкс) это ничто. И видно ведь, что Vgs=5B открыл переход (Vds стало равно 0). Ну, и потом в таблице, где и приводится Vgs=+/-16B, это же предельные значения (Absolute Maximum Ratings). Я так понимаю если подать больше 16В, то транзистору настанет кирдык. Короче, я так и не могу пока понять что к чему.
Дозатор решил не разбирать, так как понял что механика насоса для своего пробега (360000км) в хорошем состоянии. Как выбирал транзистор опишу завтра.
Транзистор выбирал по следующим критериям: корпус. Так как транзистор было сразу решено вынести на корпус ТНВД, тип корпуса выбрал ТО-220 или TO-220 FULLPAK. У последнего корпус покрыт диэлектриком и он удобней при монтаже. ток стока. чем больше тем лучше. сопротивление открытого канала сток-исток. Параметр напрямую связан с током. Чем меньше тем лучше. так же транзистор должен полностью открываться от напряжения которое выдает мозг тнвд, эти транзисторы как правило в описаниях отмечают как и они имеют характеристики как на графике. входная емкость или емкость затвора. Так как транзистор вынесен на корпус и плата управления соединена с ним проводами (3см) емкость провода затвора сложится с этим параметром. Чем меньше этот суммарный параметр тем проще мозгам "дергать" драйвером. Транзистор должен установлен на хороший теплоотвод так как подкопотное пространство (и теплоотвод) легко прогревается до 90 градусов. Поэтому у транзистора остается очень мало запаса по температуре (по тех описанию 175гр, но на практике лучше не превышать 125гр). Если транзистор прикрутить к корпусу ТНВД, то он гарантировано будет не более 100гр. Ставить транзисторы на клей и аналогичную фигню не стал. Внешний транзистор еще хорош тем что каждый раз не надо вскрывать мозг.