Ну, в общем и я так рассуждал. Для всех транзисторов, которые мы к перепайки "допускаем", сопротивление сток/исток при Vgs=5V так незначительно вырастает (на 0,001 Ом) чем при 10V, что думаю волноваться здесь незачем. Главное теплоотвод хорошо организовать и тут - нафиг всякие модные клея и т.п. - по старинке на прижим или паять.
Тут можно с похмелья предположить, что там тоже не все дураки и могли додуматься управлять драйвером TTL сигналом, а питать "оный" от бортовой сети... Хотя... Измерить бы. На затворе. Несложно там, если у кого выносной напаян. Напряжение.
То, что на штатный транзюк управление приходит 5В уверен процентов на 95%. Когда возился с перепайкой пытался связи прозванивать, так 12В на плате идет только на преобразователь 5В. Ну и на клапана в сильноточных цепях.
Так я ж не спорю. Значит они считают, что этого достаточно, тем более параметры родного ключа нам неизвестны, может ему достаточно и 5V.
В этом и соль. Похоже штатному хватает чтоб полностью открыться 5В, а вот нашим заменам надо 10В судя по datasheet. Но по тому же dataseet, сопротивление перехода при 5В всего на тысячную (у разных по разному, но примерно так) больше чем при 10В. Считаю это ничто и не может привести к сгоранию при правильной замене (теплоотвод, диаметр и длина провода, качество пайки).
Мазай, это последствия 3_х дневного празднования? Не останавливайся, выходить нельзя разом, ну ты должен опыт иметь. (шутка это, если что)
Нормально всё. Сегодня уже на радиорынок ездил - пришло мне в голову, что микроконтроллеру найдется работа в машине. Платку взял, осталось придумать куда теперь её пристроить...
выбор транзистора/ПТ/ следует признать правильным с одной единственной позиции - это работает на конкретном автомобиле... критерии выбора в начале верны, но не совсем соответствуют поставленной задаче, а именно: - при попытке использования ПТ "впрямую"/т.е. впаять на старое место/ следует придерживаться ,как правильно указал Пашечка, "logic level" ПТ в корпусах D2Pak при этом наличие "logic level", т.е. возможность управления ПТ в режиме ключа от уровня ТТL - логики / лог. "0"< 0,8 В, лог "1" > 3,5 В/ следует признать принципиальным в нашем случае при указании в поисковой строке "logic level MOSFET" получим большую выборку ПТ, но не это самое главное следующий параметр, но не второй по значению, как верно указал Пашечка , "Rdc" - статическое сопротивление сток/исток, чем оно меньше, тем меньше мощность выделяется на ПТ, тем меньше он нагревается в ключевом режиме. Этот параметр очень "тонкий" - сильно завист от уровня открывающего напряжения на затворе , от прямого тока, от температуры... величину Rdc "0,035 Ом" нельзя признать удачной, поскольку для "выносных" вариантов имеются показатели "0,005/0,007 Ом" при токах в 70 А и Т= 150 С в сущности имеет место следующий парадокс, чем больший ток и меньшее сопротивление хотим получить /чтобы ПТ не перегревался/ тем большее напряжение/точно больше уровня ТТL - логики/ нужно подать на затвор /Gate/ ИМХО , разработчик эбу ТНВД, прекрасно зная параметры дозатора и режимы его работы, "вырастил" нужный ПТ в нужном месте, используя на полную катушку планарную технологию... смысл всего вышесказанного в следующем: если "вкорячиваем" ПТ прямо в плату, то не имеем репрезентативности/повезет - не повезет ????/ если выносим ПТ "наружу" , то применение драйвера ПТ следует признать обязательным об этом позже, поскольку и так утомил пытливого читателя...
Извини, давай ближе к жизни. Что такое ТП - ну, не усвоил, извени. Потом, ты согласился вроде тему отдельную сделать для этого обсуждения. НЕ, понимаю, тебе не до обсуждения, делать надо. Давай тогдав твоей теме .....
Когда начинаешь"вытягивать" один параметр, то начинают уплывать другие. Нужен некий компромисс. Первый вариант проработал один год без проблем, а потом в один прекрасный момент бах и все.... Если и второй вариант заглючит, то я перед затвором транзистора поставлю драйвер. Он скомпенсирует длину затворного провода, улучшит фронты управляющего сигнала и защитит выходной каскад ТНВД во время экспериментов.
Драйвера, что я знаю, все медленные. Можно каскад поставить. На место штатного мелкий Mosfet, который будет раскачивать затвор мощного - выносного. Мой перепаянный работал 3 года, сейчас тнвд разобран, езжу на другом, но мозги целые.
Вот статейка как это работает. Нужно взять драйвер нижнего плеча например IR4426. Схема включения в описании. Задержка распространения сигнала 65/85 нс, думаю значение мизерное в нашем применении.
Да , все верно... единственно с 2003 г. схемотехника ушла далеко вперед именно такие драйверы /или аналогичные/ необходимо использовать при замене транзистора/MOSFET в эбу ТНВД теоретически , в предельных режимах, на транзисторе будет выделяться до 15 Вт , это примерно + 30 градусов к Т окружающей среды без радиатора на практике можно ожидать существенно меньше дело за малым - сделать это красиво и репрезентативно
ИМХО не стоит гнаться за супер мощным MOSFET... если дело идет к "вылету"/часто возникает ошибка по дозатору/ , значит, не все в порядке с дозатором поскольку последний существенно дороже, то следует искать компромиссный тип MOSFET по принципу - должен быть надежным - должен сгореть при ошибке дозатора /как спец болт на снегоочистителе/ тогда я вскрою ТНВД, все почищу и перепаяю MOSFET если он работал более года /все сезоны/ то на такой же тип, если меньше то на 10/15 % мощнее/при условии что дозатор чистенький и внутри ТНВД усе блястит как у кота яйца/
А Вы когда нибудь видели рассеивание 15 Вт на корпусе TO-220? Его без радиатора на такой мощности в клочья разорвет. Наверное Вы запятую пропустили 1,5Вт.